差异：

1.电荷注入方式

NAND隧穿注入（硅基）

NOR热电子注入（源极）



2.单元布局

NAND串联

NOR并联



3.地址总线

NAND地址线与数据线共用

NOR地址线与数据线分开





相同点：

注入电荷为'0'