[physics]NAND flash与NOR flash的异同

2016-3-7 写技术

差异:
1.电荷注入方式
NAND隧穿注入(硅基)
NOR热电子注入(源极)

2.单元布局
NAND串联
NOR并联

3.地址总线
NAND地址线与数据线共用
NOR地址线与数据线分开


相同点:
注入电荷为'0'

标签: physics

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