[physics]NAND flash与NOR flash的异同

2016-3-7 写技术

差异: 1.电荷注入方式 NAND隧穿注入(硅基) NOR热电子注入(源极) 2.单元布局 NAND串联 NOR并联 3.地址总线 NAND地址线与数据线共用 NOR地址线与数据线分开 相同点: 注入电荷为'0'

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标签: physics

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